BLS6G3135-20 datasheet
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>> BLS6G3135-20 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
BLS6G3135-20
库存数量:
可订货
制造商:
NXP Semiconductors
描述:
射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> 射频MOSFET电源晶体管
描述
射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
BLS6G3135-20 PDF下载
制造商
NXP Semiconductors
配置
Single
晶体管极性
N-Channel
频率
3.1 GHz to 3.5 GHz
增益
15.5 dB
输出功率
20 W
汲极/源极击穿电压
60 V
漏极连续电流
2.1 A
闸/源击穿电压
13 V
最大工作温度
+ 150 C
封装 / 箱体
SOT-608A
封装
Tray
相关资料
属性
链接
代理商
BLS6G3135-20
BLS6G3135-20,112
BLS6G3135S-120
BLS6G3135S-120,112
BLS6G3135S-20
BLS6G3135S-20,112
供应商
公司名
电话
北京耐芯威科技有限公司
010-62962871
刘先生
上海鑫科润电子科技有限公司
18521007236
鑫科润
深圳市海天鸿电子科技有限公司
0755-82552857-809
彭小姐、刘先生、李小姐
深圳市佳斯泰科技有限公司
13714291754
欧阳先生
深圳市华芯盛世科技有限公司
0755-23941632
朱先生/李小姐
深圳市崧晔达科技有限公司
13926591096
苑小姐
江苏名佑芯电子科技有限公司
17305201127
任祥建
东莞鼎岑科技有限公司
18925581989
莫
深圳市莱特斯电子科技有限公司
19176527791
江先生
深圳市远晨电子有限公司
0755-83972258
周小姐/詹小姐
BLS6G3135-20 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
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